異質(zhì)結（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HJT）電池為對稱(chēng)的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層（包括 N 型非晶硅薄膜 n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜 i-a-Si:H 和 P 型非晶硅薄膜 p-a-Si:H）、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT是很有潛力優(yōu)勢的技術(shù)，在將來(lái)HJT電池與鈣鈦礦技術(shù)進(jìn)行復合疊層，突破轉換效率30%成為可能。釜川提供高效異質(zhì)結電池整線(xiàn)設備濕法制絨設備、PVD、PECVD、電鍍銅設備等。杭州國產(chǎn)異質(zhì)結裝備供應商
異質(zhì)結太陽(yáng)能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結的形成。頂部電極由透明導電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因為它們可以達到很高的轉換效率，可達26.3%，相關(guān)團隊對HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%，同時(shí)使用低溫度加工，通常整個(gè)過(guò)程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時(shí)保持高產(chǎn)量。異質(zhì)結電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡(jiǎn)單并且降本路線(xiàn)清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。蘇州高效異質(zhì)結設備供應商零界高效異質(zhì)結電池整線(xiàn)解決方案疊加了雙面微晶、無(wú)銀或低銀金屬化工藝，明顯提升了太陽(yáng)能電池的轉換效率。
異質(zhì)結是由不同材料組成的結構，其中至少有一種材料是半導體材料。根據不同的材料組合方式和結構特點(diǎn)，異質(zhì)結可以分為以下幾種主要類(lèi)型：結：由p型半導體和n型半導體組成的結構，是常見(jiàn)的異質(zhì)結。在pn結中，p型半導體和n型半導體的電子濃度和空穴濃度不同，形成了電場(chǎng)，使得pn結具有整流、光電轉換等特性。2.Schottky結：由金屬和半導體組成的結構，金屬為n型或p型半導體提供電子或空穴，形成勢壘，使得電子或空穴在兩種材料之間流動(dòng)。Schottky結具有快速開(kāi)關(guān)、高頻特性等優(yōu)點(diǎn)。3.量子阱結：由兩種不同帶隙能量的半導體材料組成，中間夾著(zhù)一層非常薄的半導體材料，形成能量勢阱。量子阱結具有量子效應，可以用于制造激光器、太陽(yáng)能電池等器件。4.量子點(diǎn)結：由非常小的半導體顆粒組成，大小通常在1-10納米之間。量子點(diǎn)結具有量子效應，可以用于制造高效的光電轉換器件。5.懸掛門(mén)結：由兩個(gè)不同材料的半導體組成，其中一個(gè)半導體材料被刻蝕成一個(gè)非常薄的層，形成一個(gè)懸掛的結構。懸掛門(mén)結具有高靈敏度、低功耗等特點(diǎn)，可以用于制造傳感器、存儲器等器件。
高效異質(zhì)結電池整線(xiàn)設備，HWCVD 1、熱絲化學(xué)氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來(lái)制備非晶硅薄膜，對襯底無(wú)損傷，且成膜質(zhì)量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個(gè)階段，一是反應氣體在熱絲處的分解反應，二是基元向襯底運輸過(guò)程中的氣相反應，第三是生長(cháng)薄膜的表面反應。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫熱絲催化作用使SiH4分解來(lái)成膜，對襯底無(wú)損傷，且成膜質(zhì)量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。光伏異質(zhì)結的制造工藝包括薄膜沉積、熱處理、光刻等步驟，具有靈活性高、可定制化的優(yōu)點(diǎn)。
高效異質(zhì)結電池整線(xiàn)解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結后，電池被用一個(gè)~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物（TCO）層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來(lái)在電池的背面形成一個(gè)介電鏡。因此，為了理解和優(yōu)化整個(gè)a-Si:H/c-Si太陽(yáng)能電池，還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個(gè)電荷載流子遷移率相當低的金屬，而TCO/a-Si:H結的電子行為通常被假定為類(lèi)似于金屬-半導體結。 TCO的功函數對TCO/a-Si:H/c-Si結構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質(zhì)結上的傳輸起著(zhù)重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。高效異質(zhì)結電池PECVD設備是制備微晶硅的中心設備，其工藝機理復雜，影響因素眾多，需要專(zhuān)業(yè)公司制備。廣州國產(chǎn)異質(zhì)結報價(jià)
光伏異質(zhì)結的應用領(lǐng)域不斷擴大，包括但不限于家庭、商業(yè)、工業(yè)、農業(yè)等領(lǐng)域。杭州國產(chǎn)異質(zhì)結裝備供應商
HJT電池整線(xiàn)裝備，形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結界面的一部分，避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來(lái)的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時(shí)，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱(chēng)為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過(guò)添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來(lái)進(jìn)行調節控制。杭州國產(chǎn)異質(zhì)結裝備供應商