單擊NetCouplingSummary,出現耦合總結表格，包括網(wǎng)絡(luò )序號、網(wǎng)絡(luò )名稱(chēng)、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò )、比較大耦合系數、比較大耦合系數所占走線(xiàn)長(cháng)度百分比、耦合系數大于0.05的走線(xiàn) 長(cháng)度百分比、耦合系數為0.01?0.05的走線(xiàn)長(cháng)度百分比、總耦合參考值。
單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò )的走線(xiàn)阻抗彩圖。注意，在彩圖 上方有一排工具欄，通過(guò)下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò )組，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線(xiàn)還是差分線(xiàn)。雙擊Plot±的任何線(xiàn)段，對應的走線(xiàn)會(huì )以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。如何選擇適用于DDR3一致性測試的工具？設備DDR3測試銷(xiāo)售
創(chuàng )建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話(huà)框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對話(huà)框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話(huà)框在NewWorkspace對話(huà)框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側是Workflow,右側是主工作區。
分配舊IS模型并定義總線(xiàn)左側Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區下方彈出Property界面，左側為Block之間的連接信息，右側是模型設置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對話(huà)框。設備DDR3測試銷(xiāo)售DDR3一致性測試可以幫助識別哪些問(wèn)題？
DDR 系統概述
DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡(jiǎn)稱(chēng)為 DDR。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀/寫(xiě)數據，因而其數據速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統 SDRAM 相同，仍在時(shí)鐘上升沿進(jìn)行數據判決。 DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個(gè)總線(xiàn)系統，總線(xiàn)包括地址線(xiàn)、數據信號線(xiàn)以及時(shí)鐘、控制線(xiàn)等。其中數據信號線(xiàn)可以隨著(zhù)系統吞吐量的帶寬而調整，但是必須以字節為單位進(jìn)行調整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線(xiàn)的系統結構，地址和控制總線(xiàn)是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數據信號則是雙向總線(xiàn)。
DDR 總線(xiàn)的系統結構DDR 的地址信號線(xiàn)除了用來(lái)尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線(xiàn)和控制信號統稱(chēng)為地址/控制總線(xiàn)。DDR 中的命令狀態(tài)真值表?？梢钥吹?，DDR 控制器對存儲系統的操作，就是通過(guò)控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來(lái)完成的。 DDR 系統命令狀態(tài)真值表
單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓撲編輯環(huán)境，可以按前面161節反射 中的實(shí)驗所學(xué)習的操作去編輯拓撲進(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串擾的布線(xiàn)后仿真。
在提取出來(lái)的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，
單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析，
在波形顯示界面里，只打開(kāi)器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時(shí)鐘波形邊沿正常，有一些反射。
原始設計沒(méi)有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開(kāi)器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看，可以看到， 時(shí)鐘信號完全不能工作。DDR3內存的一致性測試是否需要長(cháng)時(shí)間運行？
DDR3拓撲結構規劃：Fly?by拓撲還是T拓撲
DDR1/2控制命令等信號，均采用T拓撲結構。到了 DDR3,由于信號速率提升，當負 載較多如多于4個(gè)負載時(shí)，T拓撲信號質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號均釆用 F拓撲。下面是在某項目中通過(guò)前仿真比較2片負載和4片負載時(shí)，T拓撲和Fly-by拓 撲對信號質(zhì)量的影響，仿真驅動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為。
分別標示了兩種拓撲下的仿真波形和眼圖，可以看到2片負載 時(shí)，Fly-by拓撲對DDR3控制和命令信號的改善作用不是特別明顯，因此在2片負載時(shí)很多 設計人員還是習慣使用T拓撲結構。DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區別？設備DDR3測試銷(xiāo)售
進(jìn)行DDR3一致性測試時(shí)如何準備備用內存模塊？設備DDR3測試銷(xiāo)售
DDR（Double Data Rate）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數據傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統的概述：
架構：DDR系統由多個(gè)組件組成，包括主板、內存控制器、內存槽和DDR內存模塊。主板上的內存控制器負責管理和控制DDR內存模塊的讀寫(xiě)操作。數據傳輸方式：DDR采用雙倍數據傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內進(jìn)行兩次數據傳輸，相比于單倍數據傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數據在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現雙倍數據傳輸。速度等級：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級表示內存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來(lái)表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級對應著(zhù)不同的數據傳輸速度和性能。設備DDR3測試銷(xiāo)售