前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開(kāi)關(guān)速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅動(dòng)電流，使用時(shí)應根據需要取舍。②盡管IGBT所需驅動(dòng)功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開(kāi)關(guān)過(guò)程中需要對電容充放電，因此驅動(dòng)電路的輸出電流應足夠大，這一點(diǎn)設計者往往忽略。假定開(kāi)通驅動(dòng)時(shí)，在上升時(shí)間tr內線(xiàn)性地對MOSFET輸入電容Cin充電，則驅動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R為輸入回路電阻。③為可靠關(guān)閉IGBT，防止擎住現象，要給柵極加一負偏壓，因此采用雙電源供電。IGBT集成式驅動(dòng)電路IGBT的分立式驅動(dòng)電路中分立元件多，結構復雜，保護功能比較完善的分立電路就更加復雜，可靠性和性能都比較差，因此實(shí)際應用中大多數采用集成式驅動(dòng)電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國湯姆森公司的UA4002集成電路等應用都很廣。IPM驅動(dòng)電路設計IPM對驅動(dòng)電路輸出電壓的要求很?chē)栏?，具體為:①驅動(dòng)電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13．5V將發(fā)生欠壓保護，電壓高于16．5V將可能損壞內部部件。②驅動(dòng)電壓相互隔離，以避免地線(xiàn)噪聲干擾。③驅動(dòng)電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的兩倍(2Vces)。④驅動(dòng)電流可以參閱器件給出的20kHz驅動(dòng)電流要求。器件自身產(chǎn)生的故障信號是非保持性的，如果tFO結束后故障源仍舊沒(méi)有排除，IPM就會(huì )重復自動(dòng)保護的過(guò)程。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價(jià)
Mitsubishi三菱IPM模塊對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng )造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線(xiàn)圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖；圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標：1-電流傳感器；10-工作區域；101-一發(fā)射極單元。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價(jià)當IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號持續時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續時(shí)間會(huì )長(cháng)一些)。
公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開(kāi)；第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元；接地區域設置于一發(fā)射極單元內的任意位置處；電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓，并根據電壓檢測工作區域的工作電流。本申請避免了柵電極因對地電位變化造成的偏差，提高了檢測電流的精度。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導體功率模塊，與上述實(shí)施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問(wèn)題，達到相同的技術(shù)效果。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的半導體功率模塊的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的igbt芯片對應過(guò)程，在此不再贅述。另外，在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，除非另有明確的規定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是。
空穴收集區8可以處于與一發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的，在終端保護區域的p+場(chǎng)限環(huán)也可以成為空穴收集區8，本發(fā)明實(shí)施例對此不作限制說(shuō)明。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的igbt芯片在電流檢測過(guò)程中，通過(guò)檢測電阻上產(chǎn)生的電壓，得到工作區域的電流大小。但是，在實(shí)際檢測過(guò)程中，檢測電阻上的電壓同時(shí)抬高了電流檢測區域的mos溝槽溝道對地電位，即相當降低了電流檢測區域的柵極電壓，從而使電流檢測區域的mos的溝道電阻增加。當電流檢測區域的電流越大時(shí)，電流檢測區域的mos的溝道電阻就越大，從而使檢測電壓在工作區域的電流越大，導致電流檢測區域的電流與工作區域電流的比例關(guān)系偏離增大，產(chǎn)生大電流下的信號失真，造成工作區域在大電流或異常過(guò)流的檢測精度低。而本發(fā)明實(shí)施例中電流檢測區域的第二發(fā)射極單元相當于沒(méi)有公共柵極單元提供驅動(dòng)，即對于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流，電流檢測區域的第二發(fā)射極單元只獲取空穴形成的電流作為檢測電流，從而避免了檢測電流受公共柵極單元的電壓的影響，以及測試電壓的影響而產(chǎn)生信號的失真，即避免了公共柵極單元因對地電位變化造成的偏差，從而提高了檢測電流的精度。實(shí)施例二：在上述實(shí)施例的基礎上。此時(shí)間內IPM會(huì )門(mén)極驅動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號持續時(shí)間結束后，IPM內部自動(dòng)復位，門(mén)極驅動(dòng)通道開(kāi)放。
滑環(huán)12的底部固定連接有與傳動(dòng)桿10配合使用的移動(dòng)框13，移動(dòng)框13位于圓盤(pán)9的前側，傳動(dòng)桿10的前端延伸至移動(dòng)框13的內部，傳動(dòng)桿10的表面與移動(dòng)框13的內壁接觸，移動(dòng)框13的底部固定連接有導向桿19，容納槽2內壁的底部開(kāi)設有導向槽20，導向桿19與導向槽20滑動(dòng)連接，通過(guò)設置導向桿19和導向槽20，能夠增加移動(dòng)框13移動(dòng)的穩定性，防止移動(dòng)框13移動(dòng)時(shí)傾斜，滑環(huán)12的頂部固定連接有移動(dòng)板14，移動(dòng)板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動(dòng)板14內側的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部與底座1的頂部接觸，通過(guò)設置橡膠墊21，能夠增加igbt功率模塊本體16與底座1的摩擦力，防止igbt功率模塊本體16在底座1的頂部非正常移動(dòng)，igbt功率模塊本體16兩側的底部均開(kāi)設有卡槽17，卡桿15遠離移動(dòng)板14的一端延伸至卡槽17的內部，通過(guò)設置底座1、容納槽2、一軸承3、蝸桿4、轉盤(pán)5、第二軸承6、轉軸7、蝸輪8、圓盤(pán)9、傳動(dòng)桿10、滑桿11、滑環(huán)12、移動(dòng)框13、移動(dòng)板14、卡桿15、igbt功率模塊本體16和卡槽17的配合使用，解決了現有igbt功率模塊的安裝機構操作時(shí)繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問(wèn)題。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類(lèi)。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價(jià)
小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價(jià)
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導體功率模塊，如圖15所示，半導體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅動(dòng)集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設置在dcb板60上，驅動(dòng)集成塊52的out端口通過(guò)模塊引線(xiàn)端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接，以便于驅動(dòng)工作區域10和電流檢測區域20工作；si端口通過(guò)模塊引線(xiàn)端子521與檢測電阻40連接，用于獲取檢測電阻40上的電壓；以及，gnd端口通過(guò)模塊引線(xiàn)端子521與電流檢測區域的一發(fā)射極單元101引出的導線(xiàn)522連接，檢測電阻40的另一端還分別與電流檢測區域的第二發(fā)射極單元201和接地區域連接，從而通過(guò)si端口獲取檢測電阻40上的測量電壓，并根據該測量電壓檢測工作區域的工作電流。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導體功率模塊，設置有igbt芯片，其中，igbt芯片上設置有：工作區域、電流檢測區域和接地區域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元，以及，工作區域的一發(fā)射極單元、電流檢測區域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接。遼寧加工Mitsubishi三菱IPM模塊報價(jià)